晶圓潔凈烘箱，光刻硬烘烤箱

        為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理*步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮?dú)獾臋C(jī)臺(tái)中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個(gè)單分子層的水。

    晶圓潔凈烘箱，光刻硬烘烤箱潔凈度100級(jí)的潔凈熱處理HEPA過(guò)濾器與前出風(fēng)型水平層流循環(huán)方式實(shí)現(xiàn)并保證箱內(nèi)的溫度分布的均勻性與100級(jí)潔凈度。zui小限度控制風(fēng)速距離。     

      晶圓潔凈烘箱，光刻硬烘烤箱涂膠后，晶片須經(jīng)過(guò)一次烘烤，稱(chēng)之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時(shí)間越短或溫度越低會(huì)使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對(duì)比度會(huì)有降低。實(shí)際上軟烘工藝需要通過(guò)優(yōu)化對(duì)比度而保持可接受感光度的試湊法用實(shí)驗(yàn)確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時(shí)間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。

    在晶片顯影后，為了后面的工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對(duì)晶片進(jìn)行高溫烘烤，稱(chēng)之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應(yīng)；激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。

    JS-DHB180B無(wú)塵烘箱系用于半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料涂膠前的預(yù)處理烘烤、涂膠后堅(jiān)膜烘烤和顯影后的高溫烘烤，強(qiáng)制送風(fēng)循環(huán)方式。雙風(fēng)道循環(huán)結(jié)構(gòu)，溫度場(chǎng)分布均勻，智能P.I.D溫控系統(tǒng)，得到高精度溫度控制。

 特點(diǎn)：
1.在普通環(huán)境下使用，能夠確保烘箱內(nèi)部等級(jí)達(dá)到Class 100；
2.全周氬焊，耐高溫硅膠破緊，SUS304#不銹鋼電熱生產(chǎn)器，防機(jī)臺(tái)本身所產(chǎn)生微塵；
3.采平面水平由后向前送風(fēng)熱風(fēng)循環(huán)系統(tǒng)，風(fēng)源由循環(huán)馬達(dá)運(yùn)轉(zhuǎn)帶動(dòng)風(fēng)輪經(jīng)電熱器，將熱風(fēng)由風(fēng)道送至烤箱內(nèi)部，且將使用后空氣吸入風(fēng)道成為風(fēng)源再度循環(huán)加熱，省電節(jié)能溫度均勻性好，過(guò)濾效率99.99%，Class 100；

4.強(qiáng)制送風(fēng)循環(huán)方式。雙風(fēng)道循環(huán)結(jié)構(gòu)，溫度場(chǎng)分布均勻，智能P.I.D溫控系統(tǒng)，得到高溫度控制精度。

 技術(shù)參數(shù)：

  無(wú)塵等級(jí)：Class 100;     

  溫度范圍： 60～ +300℃；
  溫度均勻度：200℃±2℃;    

  溫度波動(dòng)度：±0.5℃（空載）        
  溫控精度：±0.1℃;        

  工作尺寸：600×600×500mm         
  電源：380v , 50Hz，10KW    

  網(wǎng)板：2塊（高度可調(diào)節(jié))