silicon wafer HMDS烤箱，HMDS OVEN

silicon wafer HMDS烤箱，HMDS OVEN原理： 
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
silicon wafer HMDS烤箱，HMDS OVEN的必要性：
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
技術(shù)參數(shù)：
電源電壓：AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率：2200W
溫度范圍：RT+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動(dòng)度：±1℃
達(dá)到真空度：133Pa（1torr）
工作室尺寸（mm）：450*450*450,800*800*800（可定做）
特點(diǎn)：
1、預(yù)處理性能更好
2、處理更加均勻
3、效率高
4、更加節(jié)省藥液
5、更加環(huán)保和安全 
6、低液報(bào)警裝置
7、可自動(dòng)吸取HMDS功能
8、可自動(dòng)添加HMDS功能
9、HMDS藥液泄漏報(bào)警功能
10、HMDS緊急疏散功能
11、數(shù)據(jù)記錄打印功能

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