鈮酸鋰無氧化烘箱用于半導體晶片、半導體封裝和MEMS器件的批量生產。主要用于聚酰亞胺PI膠、CPI膠、BCB膠固化、低K電介質固化，LCP材料熱處理、鍵合材料預處理，FOWLP扇出封裝，ITO膜/鋁/銅退火，PBO膠固化等特殊工藝。
近些年發展起來的薄膜鈮酸鋰制備與刻蝕工藝令鈮酸鋰材料重新活躍于集成光學領域，以鈮酸鋰高速調制器為代表的一系列集成光學器件得以發展。此外，鈮酸鋰的其他光學性能也十分*，下面從鈮酸鋰晶體性質入手，說明為什么它在集成光學領域具有潛力。
近日，清華大學精密儀器系李楊副教授團隊在薄膜鈮酸鋰平臺上實現了集成光學相控陣。基于薄膜鈮酸鋰電光調制器，此類集成光學相控陣有望實現超高調制速度、超低能量消耗、低插入損耗。由于該器件能夠實現超高掃描速度，在傳統應用之外，為其他新應用開辟了可能性，例如高密度點云生成和層析全息術。
光學相控陣在激光雷達、自由空間通信、虛擬現實（VR）/增強現實（AR）、醫學掃描成像等領域有著廣泛的應用。在以上這些應用中，相比機械轉鏡實現的光束掃描，光學相控陣能夠提供更長的使用壽命。
實現光學相控陣的方法有：液晶、MEMS、集成光學，其中集成光學相控陣能夠利用現代微電子加工工藝，實現大規模量產。目前主流材料平臺是硅基平臺，在該平臺上，通過熱光或電光相位調制的方法，能夠實現波束發射角度的偏轉。
鈮酸鋰無氧化烘箱
真空無氧化烘箱用于半導體晶片、半導體封裝和MEMS器件的批量生產。主要用于PI/CPI固化，BCB固化，PBO固化，LCP纖維熱處理。
鈮酸鋰無氧化烘箱技術性能
溫度范圍：50～300/450℃
升溫速率：1～10℃/m，可調
降溫時間：≤90min
氧含量性能：≤10ppm
材料：耐高溫316L不銹鋼
保溫材料：高性能陶瓷纖維
冷卻方式：輔助降溫
操作方式：人機界面
